|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220-3
- IPP50R140CPXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.34
-
59En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R140CPXKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220-3
|
|
59En existencias
|
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$4.34
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$2.30
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$2.09
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$1.87
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 30A TO220-3 CoolMOS C6
- IPP60R125C6
- Infineon Technologies
-
1:
$5.05
-
58En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125C6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 30A TO220-3 CoolMOS C6
|
|
58En existencias
|
|
|
$5.05
|
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$2.72
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$2.48
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$2.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6
- IPP60R190C6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.46
-
289En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R190C6XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6
|
|
289En existencias
|
|
|
$3.46
|
|
|
$1.75
|
|
|
$1.59
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|
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$1.33
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Min.: 1
Mult.: 1
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS E6
- IPP60R190E6
- Infineon Technologies
-
1:
$3.46
-
169En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R190E6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS E6
|
|
169En existencias
|
|
|
$3.46
|
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$1.75
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$1.58
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$1.33
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|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6
- IPW60R099C6
- Infineon Technologies
-
1:
$7.24
-
304En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099C6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6
|
|
304En existencias
|
|
|
$7.24
|
|
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$5.35
|
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$4.33
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$3.84
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$3.40
|
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
- SPA11N60C3
- Infineon Technologies
-
1:
$3.50
-
446En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N60C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
|
446En existencias
|
|
|
$3.50
|
|
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$1.77
|
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$1.60
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|
|
$1.35
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
- SPA11N80C3
- Infineon Technologies
-
1:
$3.24
-
380En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N80C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
|
380En existencias
|
|
|
$3.24
|
|
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$2.11
|
|
|
$1.62
|
|
|
$1.35
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$1.17
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 13.4A TO220FP CoolMOS CFD
- SPA15N60CFD
- Infineon Technologies
-
1:
$4.20
-
15En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPA15N60CFD
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 13.4A TO220FP CoolMOS CFD
|
|
15En existencias
|
|
|
$4.20
|
|
|
$2.76
|
|
|
$2.03
|
|
|
$1.63
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
- SPA17N80C3XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.15
-
502En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPA17N80C3XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
|
502En existencias
|
|
|
$4.15
|
|
|
$2.34
|
|
|
$2.15
|
|
|
$2.03
|
|
|
$2.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
- SPP04N80C3XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.09
-
42En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPP04N80C3XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
|
|
42En existencias
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.02
|
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|
$0.906
|
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|
$0.721
|
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$0.664
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220-3
- SPP11N60C3XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.30
-
77En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N60C3XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220-3
|
|
77En existencias
|
|
|
$3.30
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.50
|
|
|
$1.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3
- SPP20N60C3XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.08
-
754En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPP20N60C3XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3
|
|
754En existencias
|
|
|
$4.08
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.90
|
|
|
$1.66
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 24.3A TO220-3
- SPP24N60C3XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.18
-
230En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPP24N60C3XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 24.3A TO220-3
|
|
230En existencias
|
|
|
$5.18
|
|
|
$2.71
|
|
|
$2.29
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
- SPW11N80C3
- Infineon Technologies
-
1:
$4.00
-
49En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW11N80C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
|
|
49En existencias
|
|
|
$4.00
|
|
|
$2.62
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.71
|
|
|
$1.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
- SPW11N80C3FKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.83
-
271En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW11N80C3FKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
|
|
271En existencias
|
|
|
$3.83
|
|
|
$2.10
|
|
|
$1.72
|
|
|
$1.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
- SPW17N80C3
- Infineon Technologies
-
1:
$4.87
-
216En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW17N80C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
|
|
216En existencias
|
|
|
$4.87
|
|
|
$3.90
|
|
|
$3.15
|
|
|
$2.79
|
|
|
$2.48
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
- SPW17N80C3FKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.64
-
267En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW17N80C3FKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
|
|
267En existencias
|
|
|
$4.64
|
|
|
$3.00
|
|
|
$2.48
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
- SPW20N60C3
- Infineon Technologies
-
1:
$5.00
-
199En existencias
-
1,200En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW20N60C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3
|
|
199En existencias
1,200En pedido
|
|
|
$5.00
|
|
|
$2.81
|
|
|
$2.21
|
|
|
$2.17
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA50R280CEXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$1.64
-
731En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R280CEXKSA2
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
731En existencias
|
|
|
$1.64
|
|
|
$0.781
|
|
|
$0.697
|
|
|
$0.599
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.524
|
|
|
$0.477
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA50R380CE
- Infineon Technologies
-
1:
$1.58
-
718En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R380CE
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
718En existencias
|
|
|
$1.58
|
|
|
$1.00
|
|
|
$0.667
|
|
|
$0.546
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.478
|
|
|
$0.439
|
|
|
$0.434
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA50R380CEXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$1.58
-
635En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R380CEXKSA2
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
635En existencias
|
|
|
$1.58
|
|
|
$0.873
|
|
|
$0.667
|
|
|
$0.546
|
|
|
$0.434
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA50R950CEXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$1.15
-
998En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R950CEXKSA2
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
998En existencias
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.537
|
|
|
$0.476
|
|
|
$0.387
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.344
|
|
|
$0.306
|
|
|
$0.292
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPA60R099P6
- Infineon Technologies
-
1:
$5.87
-
383En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
383En existencias
|
|
|
$5.87
|
|
|
$3.85
|
|
|
$2.89
|
|
|
$2.45
|
|
|
$2.23
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPA60R099P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.19
-
562En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
562En existencias
|
|
|
$4.19
|
|
|
$2.15
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.71
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPA60R120P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.99
-
524En existencias
-
2,500En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
524En existencias
2,500En pedido
|
|
|
$3.99
|
|
|
$2.60
|
|
|
$2.04
|
|
|
$1.70
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.58
|
|
|
$1.48
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|