|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
- RFM00U7U(TE85L,F)
- Toshiba
-
3,000:
$0.543
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-RFM00U7UTE85LF
|
Toshiba
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
100 mA
|
20 V
|
|
520 MHz
|
13 dB
|
200 mW
|
|
|
SMD/SMT
|
SOT-343-4
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
- RFM12U7X(TE12L,Q)
- Toshiba
-
1,000:
$5.22
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-RFM12U7XTE12LQ
|
Toshiba
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
4 A
|
20 V
|
|
520 MHz
|
10.8 dB
|
12 W
|
|
|
SMD/SMT
|
PW-X-4
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
- AFV10700GSR5
- NXP Semiconductors
-
50:
$764.52
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
771-AFV10700GSR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2.6 A
|
105 V
|
|
1.03 GHz to 1.09 GHz
|
19.2 dB
|
700 W
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
NI-780GS-4L
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
- MHT1803A
- NXP Semiconductors
-
240:
$26.70
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803A
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 240
Mult.: 240
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
|
|
1.8 MHz to 50 MHz
|
28.2 dB
|
330 W
|
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF101AN
- NXP Semiconductors
-
1:
$46.16
-
Plazo de entrega 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
Plazo de entrega 16 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
8.8 A
|
133 V
|
|
1.8 MHz to 250 MHz
|
21.1 dB
|
115 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF300BN
- NXP Semiconductors
-
240:
$66.95
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300BN
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 240
Mult.: 240
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
30 A
|
133 V
|
|
1.8 MHz to 250 MHz
|
20.4 dB
|
330 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
- MRFX1K80GNR5
- NXP Semiconductors
-
50:
$268.09
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80GNR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
43 A
|
179 V
|
|
1.8 MHz to 400 MHz
|
24.4 dB
|
1.8 kW
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
OM-1230G-4
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4
- AFT09MP055NR1
- NXP Semiconductors
-
500:
$32.19
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MP055NR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
7.5 A
|
40 V
|
|
764 MHz to 940 MHz
|
17.5 dB
|
57 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270WB-4
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
- AFT09MS031GNR1
- NXP Semiconductors
-
500:
$20.99
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031GNR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
10 A
|
40 V
|
|
764 MHz to 941 MHz
|
15.7 dB
|
32 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
- MRF1K50GNR5
- NXP Semiconductors
-
50:
$263.06
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50GNR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
36 A
|
133 V
|
|
1.8 MHz to 500 MHz
|
23 dB
|
1.5 kW
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
OM-1230G-4
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
- MRF6V12250HR5
- NXP Semiconductors
-
50:
$627.15
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V12250HR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
100 V
|
|
960 MHz to 1.215 GHz
|
20.3 dB
|
275 W
|
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
NI-780
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V
- MRF6V14300HSR5
- NXP Semiconductors
-
50:
$573.73
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V14300HSR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
100 V
|
|
1.2 GHz to 1.4 GHz
|
18 dB
|
330 W
|
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
NI-780S
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
- MRFE6VP61K25HR6
- NXP Semiconductors
-
150:
$347.11
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR6
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 150
Mult.: 150
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
30 A
|
133 V
|
|
1.8 MHz to 600 MHz
|
24 dB
|
1.25 kW
|
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
NI-1230H-4
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
- DU28120V
- MACOM
-
20:
$173.83
-
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
937-DU28120V
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
|
|
Min.: 20
Mult.: 20
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
6 mA
|
65 V
|
|
2 MHz to 175 MHz
|
13 dB
|
120 W
|
|
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
- MRF173
- MACOM
-
1:
$77.35
-
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF173
N.º de artículo de Mouser
937-MRF173
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
|
|
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
|
|
|
$77.35
|
|
|
$67.19
|
|
|
$58.77
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
9 A
|
65 V
|
|
200 MHz
|
13 dB
|
80 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
221-11-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
- MRF275L
- MACOM
-
20:
$152.42
-
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF275L
N.º de artículo de Mouser
937-MRF275L
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
|
|
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
|
|
Min.: 20
Mult.: 20
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
13 A
|
65 V
|
|
500 MHz
|
8.8 dB
|
100 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
333-04
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
- UF2840G
- MACOM
-
20:
$269.24
-
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
|
N.º de artículo del Fabricante
UF2840G
N.º de artículo de Mouser
937-UF2840G
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
|
|
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
|
|
Min.: 20
Mult.: 20
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
|
100 MHz to 500 MHz
|
10 dB
|
40 W
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
319-07
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-PH27F
- CML Micro
-
1:
$16.48
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH27F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
|
|
No en existencias
|
|
|
$16.48
|
|
|
$16.04
|
|
|
$14.33
|
|
|
$13.44
|
|
|
Ver
|
|
|
$13.28
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
GaAs
|
90 mA to 120 mA
|
|
|
26 GHz
|
16 dB
|
25 dBm
|
|
+ 150 C
|
|
Die
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-PH29F
- CML Micro
-
1:
$22.61
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH29F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
GaAs
|
160 mA to 200 mA
|
|
|
18 GHz
|
13 dB
|
28.5 dBm
|
|
+ 150 C
|
|
Die
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-PH4F
- CML Micro
-
1:
$57.50
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH4F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
GaAs
|
40 mA to 60 mA
|
|
|
28 GHz
|
14 dB
|
21.5 dBm
|
|
+ 150 C
|
|
Die
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-PH7F
- CML Micro
-
10:
$60.44
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH7F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
|
|
GaAs
|
60 mA to 80 mA
|
6.5 V
|
|
28 GHz
|
15 dB
|
23 dBm
|
|
+ 150 C
|
|
Die
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PEG/REEL
- ART150PEGZ
- Ampleon
-
500:
$47.52
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-ART150PEGZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PEG/REEL
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
497 mOhms
|
1 MHz to 650 MHz
|
31.2 dB
|
150 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2G-1-3
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP
- ART150PEZ
- Ampleon
-
500:
$47.52
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-ART150PEZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
497 mOhms
|
1 MHz to 650 MHz
|
31.2 dB
|
150 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2F-1-3
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FHG/SOT1248/REEL
- ART1K6FHGJ
- Ampleon
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100:
$223.96
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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N.º de artículo de Mouser
94-ART1K6FHGJ
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Ampleon
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FHG/SOT1248/REEL
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 100
Mult.: 100
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Dual N-Channel
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LDMOS
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55 V
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84 mOhms
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1 MHz to 425 MHz
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28 dB
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1.6 kW
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+ 225 C
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SMD/SMT
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SOT1248C-5
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Reel
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FHS/SOT539/TRAY
- ART1K6FHSU
- Ampleon
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60:
$207.36
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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N.º de artículo de Mouser
94-ART1K6FHSU
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Ampleon
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K6FHS/SOT539/TRAY
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Min.: 60
Mult.: 60
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Dual N-Channel
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LDMOS
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55 V
|
84 mOhms
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1 MHz to 425 MHz
|
28 dB
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1.6 kW
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+ 225 C
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SMD/SMT
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SOT539BN-5
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Tray
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