|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
- AFT09MS031NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$20.18
-
486En existencias
-
500En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031NR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
|
|
486En existencias
500En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
10 A
|
40 V
|
|
764 MHz to 941 MHz
|
15.7 dB
|
32 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
- MRF171A
- MACOM
-
1:
$81.80
-
51En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF171A
N.º de artículo de Mouser
937-MRF171A
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
|
|
51En existencias
|
|
|
$81.80
|
|
|
$63.22
|
|
|
$60.94
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
4.5 A
|
65 V
|
|
150 MHz
|
17 dB
|
45 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
211-07-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD55025S-E
- STMicroelectronics
-
1:
$27.55
-
144En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55025S-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
144En existencias
|
|
|
$27.55
|
|
|
$20.87
|
|
|
$20.86
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
7 A
|
40 V
|
|
1 GHz
|
14.5 dB
|
25 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD55015-E
- STMicroelectronics
-
1:
$22.79
-
167En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
167En existencias
|
|
|
$22.79
|
|
|
$16.46
|
|
|
$15.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
5 A
|
40 V
|
|
1 GHz
|
14 dB
|
15 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
- MRF1K50NR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$350.05
-
40En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50NR5
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
|
|
40En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
36 A
|
133 V
|
|
1.8 MHz to 500 MHz
|
23 dB
|
1.5 kW
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
OM-1230-4
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
- UF28100V
- MACOM
-
1:
$372.54
-
18En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
937-UF28100V
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
|
|
18En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
12 A
|
65 V
|
|
100 MHz to 500 MHz
|
10 dB
|
100 W
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
744A-01
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70/TO270/REEL
- BLP15M9S70XY
- Ampleon
-
1:
$26.04
-
77En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLP15M9S70XY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70/TO270/REEL
|
|
77En existencias
|
|
|
$26.04
|
|
|
$21.76
|
|
|
$17.94
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
185 mOhms
|
2 GHz
|
17.8 dB
|
70 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2F-1-3
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
- TAV1-331+
- Mini-Circuits
-
1:
$16.49
-
61En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
139-TAV1-331
|
Mini-Circuits
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
|
|
61En existencias
|
|
|
$16.49
|
|
|
$2.14
|
|
|
$2.01
|
|
|
$2.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
GaAs
|
60 mA
|
4 V
|
|
10 MHz to 4 GHz
|
12 dB
|
21.3 dBm
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
MCLP-4
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20G/TO270/REEL
- BLP0427M9S20GXY
- Ampleon
-
1:
$26.41
-
78En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLP0427M9S20GXY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20G/TO270/REEL
|
|
78En existencias
|
|
|
$26.41
|
|
|
$22.07
|
|
|
$18.20
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
500 mOhms
|
400 MHz to 2.7 GHz
|
19 dB
|
20 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2G-1-3
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
- SD2931-11W
- STMicroelectronics
-
1:
$105.03
-
5En existencias
-
50En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-11W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
|
|
5En existencias
50En pedido
|
|
|
$105.03
|
|
|
$70.81
|
|
|
$69.33
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
20 A
|
125 V
|
|
175 MHz
|
14 dB
|
150 W
|
|
+ 200 C
|
Screw Mount
|
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
- MWT-PH33F
- CML Micro
-
10:
$17.33
-
30En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH33F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
|
|
30En existencias
|
|
|
$17.33
|
|
|
$17.30
|
|
|
$14.24
|
|
|
$13.36
|
|
|
Ver
|
|
|
$13.20
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
|
N-Channel
|
GaAs
|
|
|
|
26 GHz
|
14 dB
|
24 dBm
|
|
|
SMD/SMT
|
Die
|
Gel Pack
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
- MWT-PH8F
- CML Micro
-
10:
$90.79
-
100En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH8F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
|
|
100En existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
|
|
GaAs
|
250 mA to 300 mA
|
8 V
|
|
18 GHz
|
11 dB
|
30 dBm
|
|
+ 150 C
|
|
Die
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-PH9F
- CML Micro
-
10:
$71.64
-
100En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH9F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
|
|
100En existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
|
|
GaAs
|
180 mA to 220 mA
|
7.5 V
|
|
26 GHz
|
13 dB
|
28 dBm
|
|
+ 150 C
|
|
Die
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
Microchip Technology ARF465AG
- ARF465AG
- Microchip Technology
-
1:
$61.82
-
277En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF465AG
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
|
|
277En existencias
|
|
|
$61.82
|
|
|
$54.78
|
|
|
$54.45
|
|
|
$46.85
|
|
|
Ver
|
|
|
$46.70
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
6 A
|
1.2 kV
|
|
60 MHz
|
13 dB
|
150 W
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
Microchip Technology VRF2933MP
- VRF2933MP
- Microchip Technology
-
1:
$293.35
-
17En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-VRF2933MP
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
|
|
17En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
42 A
|
180 V
|
|
150 MHz
|
25 dB
|
300 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz
MACOM DU2810S
- DU2810S
- MACOM
-
1:
$73.37
-
51En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
DU2810S
N.º de artículo de Mouser
937-DU2810S
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz
|
|
51En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2.8 A
|
65 V
|
|
175 MHz
|
13 dB
|
10 W
|
|
+ 200 C
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
- AFT05MP075GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$32.13
-
313En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075GNR1
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
|
|
313En existencias
|
|
|
$32.13
|
|
|
$26.91
|
|
|
$22.60
|
|
|
$22.60
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
8 A
|
40 V
|
|
136 MHz to 520 MHz
|
18.5 dB
|
70 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-WBG-4
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
- PD54003-E
- STMicroelectronics
-
1:
$11.95
-
115En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD54003-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
|
|
115En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
4 A
|
25 V
|
|
1 GHz
|
12 dB
|
3 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz
- DU2820S
- MACOM
-
1:
$74.57
-
22En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
DU2820S
N.º de artículo de Mouser
937-DU2820S
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz
|
|
22En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
24 A
|
65 V
|
|
175 MHz
|
13 dB
|
20 W
|
|
+ 200 C
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices
- MWT-LN300
- CML Micro
-
10:
$33.61
-
50En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-LN300
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices
|
|
50En existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
|
|
GaAs
|
120 mA
|
4 V
|
|
26 GHz
|
10 dB, 13 dB
|
16 dBm
|
|
+ 150 C
|
|
Die
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices
- MWT-LN600
- CML Micro
-
10:
$34.81
-
100En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-LN600
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices
|
|
100En existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
|
|
GaAs
|
175 mA
|
4.5 V
|
|
26 GHz
|
8 dB, 11 dB
|
20 dBm
|
|
+ 150 C
|
|
Die
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
- PD55015TR-E
- STMicroelectronics
-
1:
$21.75
-
576En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015TR-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
|
|
576En existencias
|
|
|
$21.75
|
|
|
$16.32
|
|
|
$14.78
|
|
|
$14.78
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
5 A
|
40 V
|
|
1 GHz
|
14 dB
|
15 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
- 2SK4037(TE12L,Q)
- Toshiba
-
1:
$4.78
-
430En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-2SK4037TE12LQ
|
Toshiba
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
|
|
430En existencias
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$4.78
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$3.83
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$3.10
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$2.75
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$2.43
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Min.: 1
Mult.: 1
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N-Channel
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Si
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3 A
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12 V
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470 MHz
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11.5 dB
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36.5 dBm
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+ 150 C
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SMD/SMT
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PW-X-4
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Reel, Cut Tape, MouseReel
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
- MWT-PH15F
- CML Micro
-
10:
$110.14
-
100En existencias
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N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH15F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
|
|
100En existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
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|
GaAs
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150 mA to 190 mA
|
7.5 V
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28 GHz
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12 dB
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28 dBm
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|
+ 150 C
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Die
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Bulk
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
- PXAE263708NB-V1-R2
- MACOM
-
1:
$117.98
-
90En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAE263708NBV1R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
|
|
90En existencias
|
|
|
$117.98
|
|
|
$98.14
|
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|
$90.66
|
|
|
$90.66
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
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N-Channel
|
Si
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65 V
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80 mOhms
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2.62 GHz to 2.69 GHz
|
13.5 dB
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400 W
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+ 225 C
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Screw Mount
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HB2SOF-8-1
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Reel, Cut Tape, MouseReel
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