|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor
- IPP60R016CM8XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$11.31
-
500En pedido
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R016CM8XKSA
Nuevo en Mouser
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor
|
|
500En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPZ60R040C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$12.06
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R040C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
|
|
|
$12.06
|
|
|
$9.44
|
|
|
$7.86
|
|
|
$7.00
|
|
|
$6.55
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPLK80R900P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.16
-
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPLK80R900P7ATMA
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
|
|
|
$2.16
|
|
|
$1.35
|
|
|
$0.889
|
|
|
$0.705
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.531
|
|
|
$0.626
|
|
|
$0.613
|
|
|
$0.531
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA50R190CEXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$2.54
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R190CEXKSA2
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
|
|
|
$2.54
|
|
|
$1.25
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.903
|
|
|
$0.87
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPA60R099P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.07
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
|
|
|
$5.07
|
|
|
$2.65
|
|
|
$2.42
|
|
|
$2.40
|
|
|
$2.22
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R280P7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.67
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7SAUMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.705
|
|
|
$0.554
|
|
|
$0.505
|
|
|
$0.434
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD60R360P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.07
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
|
|
|
$2.07
|
|
|
$1.30
|
|
|
$0.853
|
|
|
$0.677
|
|
|
$0.525
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.619
|
|
|
$0.509
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R360P7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.45
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7SAUMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
|
|
|
$1.45
|
|
|
$0.904
|
|
|
$0.589
|
|
|
$0.454
|
|
|
$0.358
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.422
|
|
|
$0.35
|
|
|
$0.338
|
|
|
$0.329
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPN80R1K4P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.52
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R1K4P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
|
|
|
$1.52
|
|
|
$0.943
|
|
|
$0.615
|
|
|
$0.473
|
|
|
$0.373
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.44
|
|
|
$0.365
|
|
|
$0.353
|
|
|
$0.343
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP60R022S7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$11.18
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R022S7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
|
|
|
$11.18
|
|
|
$7.26
|
|
|
$6.71
|
|
|
$6.11
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R037P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.83
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R037P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
|
|
|
$9.83
|
|
|
$6.94
|
|
|
$5.78
|
|
|
$5.14
|
|
|
$4.81
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R060P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.30
-
2,400En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R060P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
2,400En pedido
|
|
|
$8.30
|
|
|
$5.52
|
|
|
$4.47
|
|
|
$3.96
|
|
|
$3.51
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R080P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.30
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R080P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
|
|
|
$7.30
|
|
|
$4.78
|
|
|
$3.52
|
|
|
$3.12
|
|
|
$2.77
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPZ60R017C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$22.20
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R017C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD50R500CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.36
-
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R500CEAUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
|
|
|
$1.36
|
|
|
$0.852
|
|
|
$0.589
|
|
|
$0.465
|
|
|
$0.423
|
|
|
$0.332
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
- IPD60R380C6
- Infineon Technologies
-
1:
$2.35
-
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R380C6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
|
|
|
|
|
$2.35
|
|
|
$1.50
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.881
|
|
|
$0.762
|
|
|
$0.70
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP
- IPL60R199CP
- Infineon Technologies
-
1:
$4.32
-
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R199CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP
|
|
|
|
|
$4.32
|
|
|
$2.85
|
|
|
$2.01
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.58
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3
- IPP50R190CE
- Infineon Technologies
-
1:
$2.61
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CE
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3
|
|
|
|
|
$2.61
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.20
|
|
|
$1.00
|
|
|
$0.87
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3
- IPP50R190CEXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.54
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CEXKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3
|
|
|
|
|
$2.54
|
|
|
$1.25
|
|
|
$1.13
|
|
|
$1.00
|
|
|
$0.87
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP60R160P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.15
-
1,308En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,308En pedido
|
|
|
$3.15
|
|
|
$2.04
|
|
|
$1.46
|
|
|
$1.21
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.12
|
|
|
$1.06
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3
- IPW65R048CFDA
- Infineon Technologies
-
1:
$10.39
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R048CFDA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3
|
|
|
|
|
$10.39
|
|
|
$8.13
|
|
|
$6.78
|
|
|
$6.03
|
|
|
$5.64
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3
- IPW65R048CFDAFKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.77
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R048CFDAFKS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 63.3A TO247-3
|
|
|
|
|
$7.77
|
|
|
$5.83
|
|
|
$5.64
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPZA60R045P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.42
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R045P7XKSA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
|
|
|
$8.42
|
|
|
$6.74
|
|
|
$5.45
|
|
|
$4.84
|
|
|
$4.29
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
- IPP60R299CP
- Infineon Technologies
-
1:
$3.18
-
500En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R299CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
|
|
500En pedido
|
|
|
$3.18
|
|
|
$2.07
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.15
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP
- IPW60R165CP
- Infineon Technologies
-
1:
$5.13
-
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R165CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP
|
|
|
|
|
$5.13
|
|
|
$2.97
|
|
|
$2.46
|
|
|
$2.34
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
