IXFN82N60 Serie Módulos MOSFET

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
IXYS Módulos MOSFET DIODE Id82 BVdass600
Hoja de datos
165En existencias
300En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 75 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V - 55 C + 150 C 1.04 kW IXFN82N60 Tube
IXYS Módulos MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A
Hoja de datos
244En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 75 mOhms - 30 V, + 30 V 960 W IXFN82N60 Tube