|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Matched pair Transistors
- MRF150MP
- MACOM
-
1:
$271.67
-
165En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
937-MRF150MP
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Matched pair Transistors
|
|
165En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
221-11-3
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FETs 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz, PULSED,
- CGHV31500F
- MACOM
-
1:
$1,390.61
-
20En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-CGHV31500F
|
MACOM
|
GaN FETs 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz, PULSED,
|
|
20En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440217
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB
- MRF158
- MACOM
-
1:
$53.43
-
552En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF158
N.º de artículo de Mouser
937-MRF158
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB
|
|
552En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
305A-01
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
- CGH40180PP
- MACOM
-
1:
$838.96
-
17En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-CGH40180PP
|
MACOM
|
GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
|
|
17En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440199
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
- CGHV1J070D-GP4
- MACOM
-
10:
$681.91
-
70En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-CGHV1J070D
|
MACOM
|
GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
|
|
70En existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FETs GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
- CG2H40010F
- MACOM
-
1:
$100.91
-
836En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-CG2H40010F
|
MACOM
|
GaN FETs GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
|
|
836En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440166
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
- CGH40045F
- MACOM
-
1:
$332.45
-
139En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-CGH40045F
|
MACOM
|
GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
|
|
139En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440193
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
- CGH60008D-GP4
- MACOM
-
10:
$34.01
-
680En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-CGH60008D
|
MACOM
|
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
|
|
680En existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FETs GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
- CGH27030P
- MACOM
-
1:
$144.14
-
60En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-CGH27030P
|
MACOM
|
GaN FETs GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
|
|
60En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
440196
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
- CGH60030D-GP4
- MACOM
-
10:
$201.93
-
10En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-CGH60030D
|
MACOM
|
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
|
|
10En existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FETs Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
- CGHV35400F1
- MACOM
-
1:
$1,573.29
-
11En existencias
-
40En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
941-CGHV35400F1
|
MACOM
|
GaN FETs Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
|
|
11En existencias
40En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440225
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
- MRF134
- MACOM
-
1:
$54.83
-
268En existencias
-
160En pedido
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF134
N.º de artículo de Mouser
937-MRF134
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
|
|
268En existencias
160En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
211-07-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,<200MHz,28V,300W
- MRF317
- MACOM
-
1:
$147.86
-
43En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF317
N.º de artículo de Mouser
937-MRF317
|
MACOM
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,<200MHz,28V,300W
|
|
43En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
GaN FETs GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
- CGHV35400F
- MACOM
-
1:
$1,129.79
-
7En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-CGHV35400F
|
MACOM
|
GaN FETs GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
|
|
7En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440217
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,60W,28V,2-175MHz
- DU2860U
- MACOM
-
1:
$172.26
-
18En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
DU2860U
N.º de artículo de Mouser
937-DU2860U
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,60W,28V,2-175MHz
|
|
18En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet
- MRF140
- MACOM
-
1:
$158.29
-
22En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF140
N.º de artículo de Mouser
937-MRF140
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet
|
|
22En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz
- FH2164
- MACOM
-
1:
$178.03
-
17En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
FH2164
N.º de artículo de Mouser
937-FH2164
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz
|
|
17En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
- MRF160
- MACOM
-
1:
$64.07
-
70En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF160
N.º de artículo de Mouser
937-MRF160
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
|
|
70En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
249-06
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FETs GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt
- CG2H80060D-GP4
- MACOM
-
10:
$192.14
-
60En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-CG2H80060D-GP4
|
MACOM
|
GaN FETs GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt
|
|
60En existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB
- MRF157
- MACOM
-
1:
$1,046.59
-
8En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF157
N.º de artículo de Mouser
937-MRF157
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB
|
|
8En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
- CGH60060D-GP4
- MACOM
-
10:
$178.98
-
40En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-CGH60060D
|
MACOM
|
GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
|
|
40En existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FETs GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
- CGHV40320D-GP4
- MACOM
-
10:
$810.15
-
30En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-CGHV40320D
|
MACOM
|
GaN FETs GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
|
|
30En existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
Die
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS
- MRF174
- MACOM
-
1:
$91.72
-
70En existencias
-
40En pedido
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF174
N.º de artículo de Mouser
937-MRF174
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS
|
|
70En existencias
40En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
211-07
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 100-400MHz 125Watts 28Volt Gain 10dB
- MRF392
- MACOM
-
1:
$166.11
-
12En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF392
N.º de artículo de Mouser
937-MRF392
|
MACOM
|
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 100-400MHz 125Watts 28Volt Gain 10dB
|
|
12En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
744A-01
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
- UF28100V
- MACOM
-
1:
$372.54
-
18En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
937-UF28100V
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
|
|
18En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
744A-01
|
N-Channel
|
|