|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
- IAUZN10S7L289ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.38
-
4,350En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN10S7L289ATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
|
|
4,350En existencias
|
|
|
$1.38
|
|
|
$0.862
|
|
|
$0.57
|
|
|
$0.447
|
|
|
$0.346
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.374
|
|
|
$0.371
|
|
|
$0.33
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-TDSON-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
- SP000928950
- Infineon Technologies
-
1:
$0.39
-
8,975En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-SP000928950
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
|
|
8,975En existencias
|
|
|
$0.39
|
|
|
$0.269
|
|
|
$0.17
|
|
|
$0.105
|
|
|
$0.068
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.078
|
|
|
$0.059
|
|
|
$0.052
|
|
|
$0.047
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
- BSS314PEH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.39
-
61,344En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSS314PEH6327XTS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
|
|
61,344En existencias
|
|
|
$0.39
|
|
|
$0.235
|
|
|
$0.148
|
|
|
$0.111
|
|
|
$0.079
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.095
|
|
|
$0.058
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
P-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPB80R290C3AATMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$5.04
-
1,161En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB80R290C3AATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
1,161En existencias
|
|
|
$5.04
|
|
|
$4.03
|
|
|
$3.00
|
|
|
$2.90
|
|
|
$2.57
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-3-2
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
- BSS315P H6327
- Infineon Technologies
-
1:
$0.41
-
12,708En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSS315PH6327XT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
|
|
12,708En existencias
|
|
|
$0.41
|
|
|
$0.287
|
|
|
$0.179
|
|
|
$0.124
|
|
|
$0.093
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.107
|
|
|
$0.079
|
|
|
$0.074
|
|
|
$0.068
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
P-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
- BSS314PEH6327XT
- Infineon Technologies
-
1:
$0.44
-
16,910En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSS314PEH6327SA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
|
|
16,910En existencias
|
|
|
$0.44
|
|
|
$0.324
|
|
|
$0.183
|
|
|
$0.124
|
|
|
$0.082
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.094
|
|
|
$0.071
|
|
|
$0.066
|
|
|
$0.059
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
P-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Power BJT
- 2N2896
- Microchip Technology
-
1:
$18.31
-
Plazo de entrega no en existencias 50 Semanas
|
N.º de artículo del Fabricante
2N2896
N.º de artículo de Mouser
494-2N2896
|
Microchip Technology
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Power BJT
|
|
Plazo de entrega no en existencias 50 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
No
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-18
|
NPN
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Power BJT
Microchip Technology 2N5289
- 2N5289
- Microchip Technology
-
100:
$484.48
-
Plazo de entrega no en existencias 50 Semanas
|
N.º de artículo del Fabricante
2N5289
N.º de artículo de Mouser
579-2N5289
|
Microchip Technology
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Power BJT
|
|
Plazo de entrega no en existencias 50 Semanas
|
|
Min.: 100
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
|
|
NPN
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Power BJT
Microchip Technology 2N2892
- 2N2892
- Microchip Technology
-
100:
$238.54
-
Plazo de entrega no en existencias 50 Semanas
|
N.º de artículo del Fabricante
2N2892
N.º de artículo de Mouser
579-2N2892
|
Microchip Technology
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Power BJT
|
|
Plazo de entrega no en existencias 50 Semanas
|
|
Min.: 100
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
|
|
NPN
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Power BJT
Microchip Technology 2N2895
- 2N2895
- Microchip Technology
-
100:
$20.78
-
Plazo de entrega no en existencias 50 Semanas
|
N.º de artículo del Fabricante
2N2895
N.º de artículo de Mouser
494-2N2895
|
Microchip Technology
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Power BJT
|
|
Plazo de entrega no en existencias 50 Semanas
|
|
Min.: 100
Mult.: 1
|
No
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-18-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V
- IRF8714TRPBFXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.93
-
8,410En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IRF8714TRPBFXTMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V
|
|
8,410En existencias
|
|
|
$0.93
|
|
|
$0.575
|
|
|
$0.374
|
|
|
$0.288
|
|
|
$0.202
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.259
|
|
|
$0.256
|
|
|
$0.197
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SO-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 120Vcbo 80Vcer 65Vceo 7.0V 500mW
- 2N2895 TIN/LEAD
- Central Semiconductor
-
2,000:
$4.67
-
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
610-2N2895-TL
|
Central Semiconductor
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 120Vcbo 80Vcer 65Vceo 7.0V 500mW
|
|
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
|
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-18-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Ampl/Switch
- 2N2896 PBFREE
- Central Semiconductor
-
2,000:
$2.03
-
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
610-2N2896
|
Central Semiconductor
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Ampl/Switch
|
|
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
|
|
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
|
|
TO-18-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 140Vcbo 90Vceo 7.0Vebo 15pF 120MHz
- 2N2896 TIN/LEAD
- Central Semiconductor
-
2,000:
$2.21
-
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
610-2N2896-TL
|
Central Semiconductor
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 140Vcbo 90Vceo 7.0Vebo 15pF 120MHz
|
|
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
|
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-18-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 60Vcbo 45Vceo 7.0Vebo 8.0pF 4.0dB
- 2N4289 TIN/LEAD
- Central Semiconductor
-
2,500:
$0.384
-
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
610-2N4289-TL
|
Central Semiconductor
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 60Vcbo 45Vceo 7.0Vebo 8.0pF 4.0dB
|
|
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
|
|
$0.384
|
|
|
$0.371
|
|
|
$0.364
|
|
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
PNP
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 60Vcbo 45Vceo 7.0Vebo 8.0pF 4.0dB
- 2N4289 PBFREE
- Central Semiconductor
-
2,500:
$0.333
-
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
610-2N4289
|
Central Semiconductor
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 60Vcbo 45Vceo 7.0Vebo 8.0pF 4.0dB
|
|
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
|
|
|
$0.333
|
|
|
$0.323
|
|
|
$0.318
|
|
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
PNP
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- IPP015N04NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.49
-
1,559En existencias
-
956En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP015N04NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
1,559En existencias
956En pedido
|
|
|
$2.49
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.10
|
|
|
$0.881
|
|
|
$0.855
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
- BSS316NH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.25
-
55,620En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSS316NH6327
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
|
|
55,620En existencias
|
|
|
$0.25
|
|
|
$0.134
|
|
|
$0.096
|
|
|
$0.077
|
|
|
$0.058
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.072
|
|
|
$0.052
|
|
|
$0.041
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
- BSS214NH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.37
-
36,186En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSS214NH6327
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
|
|
36,186En existencias
|
|
|
$0.37
|
|
|
$0.221
|
|
|
$0.143
|
|
|
$0.096
|
|
|
$0.065
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.094
|
|
|
$0.058
|
|
|
$0.052
|
|
|
$0.05
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3
- BSS215PH6327XT
- Infineon Technologies
-
1:
$0.42
-
25,601En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSS215PH6327XTSA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3
|
|
25,601En existencias
|
|
|
$0.42
|
|
|
$0.295
|
|
|
$0.184
|
|
|
$0.127
|
|
|
$0.096
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.112
|
|
|
$0.082
|
|
|
$0.076
|
|
|
$0.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
P-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8026 N-CH 30V 3.5A
- PMCB60XNEZ
- Nexperia
-
1:
$0.66
-
6,906En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PMCB60XNEZ
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8026 N-CH 30V 3.5A
|
|
6,906En existencias
|
|
|
$0.66
|
|
|
$0.406
|
|
|
$0.26
|
|
|
$0.197
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.122
|
|
|
$0.16
|
|
|
$0.153
|
|
|
$0.136
|
|
|
$0.122
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
10,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DSN10063-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) . .
Central Semiconductor 2N2895 PBFREE
- 2N2895 PBFREE
- Central Semiconductor
-
2,000:
$4.28
-
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
610-2N2895
|
Central Semiconductor
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) . .
|
|
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
|
|
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
|
|
|
NPN
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -2A SOT-23-3
- BSS308PEH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.49
-
196,795En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSS308PEH6327XTS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -2A SOT-23-3
|
|
196,795En existencias
|
|
|
$0.49
|
|
|
$0.30
|
|
|
$0.19
|
|
|
$0.142
|
|
|
$0.106
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.127
|
|
|
$0.095
|
|
|
$0.082
|
|
|
$0.078
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
P-Channel
|
|
|
|
IGBTs 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
- IKW30N65ET7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.94
-
Plazo de entrega 26 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-IKW30N65ET7XKSA1
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Infineon Technologies
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IGBTs 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
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Plazo de entrega 26 Semanas
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$4.94
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$3.23
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$2.53
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$2.11
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Ver
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$1.96
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$1.83
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Min.: 1
Mult.: 1
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IGBT Transistors
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Si
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Through Hole
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TO-247-3
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Módulos IGBT 1200 V, 50 A PIM IGBT module
- FP50R12W2T7BPSA1
- Infineon Technologies
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1:
$50.42
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16En existencias
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15En pedido
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N.º de artículo de Mouser
726-FP50R12W2T7BPSA1
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Infineon Technologies
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Módulos IGBT 1200 V, 50 A PIM IGBT module
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16En existencias
15En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
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IGBT Modules
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Si
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Through Hole
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