|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT40R011M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$16.91
-
1,212En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMLT40R011M2HXTM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,212En existencias
|
|
|
$16.91
|
|
|
$11.91
|
|
|
$9.72
|
|
|
$9.42
|
|
|
$8.97
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
MOSFETs
|
SiC
|
SMD/SMT
|
HDSOP-16
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FETs GaNFast BDS 650V 52mOhm TOLT
- NV6428-RA
- Navitas Semiconductor
-
1:
$16.14
-
220En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
740-NV6428-RA
Nuevo producto
|
Navitas Semiconductor
|
GaN FETs GaNFast BDS 650V 52mOhm TOLT
|
|
220En existencias
|
|
|
$16.14
|
|
|
$12.66
|
|
|
$12.14
|
|
|
$10.69
|
|
|
$10.17
|
|
|
$9.51
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
450
|
|
GaN FETs
|
|
SMD/SMT
|
TOLT-16
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
- SQJ461EP-T1_NE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.20
-
1,993En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ461EP-T1_NE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
1,993En existencias
|
|
|
$3.20
|
|
|
$2.06
|
|
|
$1.47
|
|
|
$1.23
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.14
|
|
|
$1.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerPAK SO-8L-4
|
P-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
- SQJ463EP-T1_NE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$4.45
-
1,718En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ463EP-T1_NE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
1,718En existencias
|
|
|
$4.45
|
|
|
$2.90
|
|
|
$2.27
|
|
|
$1.90
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.76
|
|
|
$1.65
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerPAK SO-8L-4
|
P-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
- IMZC120R007M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$41.18
-
3En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R007M2HXK
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
|
|
3En existencias
|
|
|
$41.18
|
|
|
$35.13
|
|
|
$30.73
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
PG-TO247-4-U07
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
- ISC034N08NM7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.55
-
5,123En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC034N08NM7ATMA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
|
|
5,123En existencias
|
|
|
$2.55
|
|
|
$1.63
|
|
|
$1.11
|
|
|
$0.925
|
|
|
$0.857
|
|
|
$0.801
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-TDSON-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Módulos IGBT XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
- FF1400R23T2E7PB5BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1,365.96
-
5En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF1400R23T2E7PB5
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
|
|
5En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V
- IMZA75R040M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$10.31
-
390En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA75R040M2HXKS
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V
|
|
390En existencias
|
|
|
$10.31
|
|
|
$7.50
|
|
|
$6.25
|
|
|
$5.57
|
|
|
$5.20
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
PG-TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
- SQRS160EP-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.38
-
3,037En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQRS160EP-T1_GE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
3,037En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerPAK SO-8SW
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductors SIZF4412DT-T1-GE3
- SIZF4412DT-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.34
-
2,643En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIZF4412DT-T1-GE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
|
|
2,643En existencias
|
|
|
$2.34
|
|
|
$1.49
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.88
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.735
|
|
|
$0.679
|
|
|
$0.643
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V
- SIHF520S-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.52
-
804En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHF520S-GE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V
|
|
804En existencias
|
|
|
$1.52
|
|
|
$0.964
|
|
|
$0.639
|
|
|
$0.505
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.455
|
|
|
$0.417
|
|
|
$0.376
|
|
|
$0.374
|
|
|
$0.364
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
- SIHFR9024-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.29
-
468En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR9024-GE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
|
|
468En existencias
|
|
|
$1.29
|
|
|
$0.814
|
|
|
$0.536
|
|
|
$0.425
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.377
|
|
|
$0.345
|
|
|
$0.31
|
|
|
$0.29
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
- RBA40N10EANS-5UA11#HB0
- Renesas Electronics
-
1:
$1.66
-
1,400En existencias
-
3,000En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
968-40N10EANS5UA11HB
Nuevo producto
|
Renesas Electronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
|
|
1,400En existencias
3,000En pedido
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.706
|
|
|
$0.557
|
|
|
$0.508
|
|
|
$0.466
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
uSO8-FL
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
- RBE111N10R1SZN2#HB0
- Renesas Electronics
-
1:
$1.64
-
2,100En existencias
-
3,000En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
968-E111N10R1SZN2HB0
Nuevo producto
|
Renesas Electronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 11.1mohm 3x3pkg
|
|
2,100En existencias
3,000En pedido
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.694
|
|
|
$0.547
|
|
|
$0.499
|
|
|
$0.456
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
uSO8-FL
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductors SIR680ADP-T1-BE3
- SIR680ADP-T1-BE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.73
-
2,055En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIR680ADP-T1-BE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
|
|
2,055En existencias
|
|
|
$2.73
|
|
|
$1.76
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.05
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.905
|
|
|
$0.86
|
|
|
$0.854
|
|
|
$0.831
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
- SIHFU220-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.18
-
2,789En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHFU220-GE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
|
|
2,789En existencias
|
|
|
$1.18
|
|
|
$0.739
|
|
|
$0.484
|
|
|
$0.374
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.338
|
|
|
$0.309
|
|
|
$0.276
|
|
|
$0.26
|
|
|
$0.253
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V
- SIHFU420-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.27
-
2,971En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHFU420-GE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V
|
|
2,971En existencias
|
|
|
$1.27
|
|
|
$0.803
|
|
|
$0.531
|
|
|
$0.436
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.377
|
|
|
$0.345
|
|
|
$0.312
|
|
|
$0.306
|
|
|
$0.298
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
- SQM40022EM_NE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.66
-
740En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQM40022EM_NE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
740En existencias
|
|
|
$3.66
|
|
|
$2.39
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.53
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.41
|
|
|
$1.32
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
- AIGBG15N120S7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.97
-
387En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-AIGBG15N120S7ATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
|
|
387En existencias
|
|
|
$3.97
|
|
|
$2.59
|
|
|
$2.03
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.49
|
|
|
$1.48
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
IGBTs
|
SiC
|
SMD/SMT
|
PG-TO263-7
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
- SIHFR9024TRL-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.29
-
2,093En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR9024TRL-GE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
|
|
2,093En existencias
|
|
|
$1.29
|
|
|
$0.813
|
|
|
$0.538
|
|
|
$0.442
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.382
|
|
|
$0.35
|
|
|
$0.317
|
|
|
$0.31
|
|
|
$0.302
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
- SIHF620S-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.74
-
881En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHF620S-GE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
|
|
881En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
- SIHFBC30AL-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.89
-
995En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHFBC30AL-GE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
|
|
995En existencias
|
|
|
$1.89
|
|
|
$1.20
|
|
|
$0.802
|
|
|
$0.657
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.576
|
|
|
$0.529
|
|
|
$0.488
|
|
|
$0.475
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 200V
- SIHFR9220TR-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.29
-
1,920En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR9220TR-GE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 200V
|
|
1,920En existencias
|
|
|
$1.29
|
|
|
$0.816
|
|
|
$0.54
|
|
|
$0.443
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.383
|
|
|
$0.351
|
|
|
$0.318
|
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$0.311
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$0.303
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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GaN FETs 650V, 110 m GaN BDS in TOLT
- TP65B110HRU-TR
- Renesas Electronics
-
1:
$7.30
-
130En existencias
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
227-TP65B110HRU-TR
Nuevo producto
|
Renesas Electronics
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GaN FETs 650V, 110 m GaN BDS in TOLT
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130En existencias
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$7.30
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$5.16
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$4.29
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$3.82
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$3.40
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Min.: 1
Mult.: 1
:
100
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GaN FETs
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
- STWA60N028T
- STMicroelectronics
-
1:
$5.87
-
258En existencias
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N028T
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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258En existencias
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$5.87
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$4.70
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$3.80
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$3.37
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$2.99
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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Through Hole
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TO-247-3
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N-Channel
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