CSD17308Q3 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1730 A 595-CSD17308Q3T
Hoja de datos
327En existencias
5,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 400
: 2,500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 50 A 10.3 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 3.9 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17308Q3
Hoja de datos
705En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 250
: 250

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 11.8 mOhms - 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V 1.3 V 3.9 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel