CSD22205L Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205L
Hoja de datos
3,010En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-4 P-Channel 1 Channel 8 V 7.4 A 40 mOhms - 6 V, 6 V 1.05 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205LT
Hoja de datos
3,468En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-4 P-Channel 1 Channel 8 V 7.4 A 40 mOhms - 6 V, 6 V 1.05 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel