CSD87334Q3D Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87334Q3DT
Hoja de datos
1,623En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT VSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 20 A 8.3 mOhms, 8.3 mOhms - 8 V, 8 V 750 mV 8.3 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Sync Buck NexFET Pow er Block A 595-CSD8 A 595-CSD87334Q3D
Hoja de datos
494En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT VSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 20 A 8.3 mOhms, 8.3 mOhms - 8 V, 8 V 750 mV 8.3 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel