CSD88537ND Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88537NDT
Hoja de datos
8,538En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 16 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD A 595-CSD88537ND
Hoja de datos
141En existencias
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 16 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel