M1H Serie Módulos MOSFET

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos MOSFET 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Hoja de datos
25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT - 40 C + 150 C M1H Tray
Infineon Technologies MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Hoja de datos

Si Screw Mount 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm N-Channel 1.2 kV 200 A 5.63 mOhms - 10 V, + 20 V 5.55 V - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray
Infineon Technologies MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Hoja de datos

Si 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Hoja de datos
16En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray
Infineon Technologies MOSFET Modules EASY
Hoja de datos

Si Screw Mount 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray

Infineon Technologies Módulos MOSFET Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Hoja de datos
84En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si - 40 C + 175 C M1H Tray