Infineon Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V 5,188En existencias
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: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 122 A 3.4 mOhms 20 V 3.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET 1,184En existencias
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: 1,800

SiC SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 400 V 144 A 14.4 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor 700En existencias
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: 1,800
Si SMD/SMT PG-HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 70 mOhms 20 V 4.7 V 43 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V 3,500En existencias
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: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 62 A 6 mOhms 20 V 3.3 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor 700En existencias
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: 1,800
Si SMD/SMT PG-HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 99 mOhms 20 V 4.7 V 31 nC - 55 C + 150 C 186 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V 562En existencias
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: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 4 mOhms 20 V 3.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications 550En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT PG-THSOG-4-1 N-Channel 1 Channel 40 V 252 A 1.04 mOhms 20 V 3 V 59 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor 350En existencias
Min.: 1
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: 1,800
Si SMD/SMT PG-HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 55 mOhms 20 V 4.7 V 51 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V 259En existencias
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: 5,000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 268 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V 720En existencias
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: 6,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V 5,739En existencias
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: 1,800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 74 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology 2,288En existencias
200En pedido
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: 2,000

OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 7,404En existencias
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: 5,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) 29,782En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 55 V 50 A 12.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 69 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 1,693En existencias
1,800En pedido
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: 1,800

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 236 A 2.25 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 103 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 32,304En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 35 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 63 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology 130En existencias
Min.: 1
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: 2,000

OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8 16,913En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 95 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 32 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 28,963En existencias
Min.: 1
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: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 202 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 96 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC 14,278En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 55 V 110 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 170 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+ 14,550En existencias
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: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 91 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 50,331En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 90 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS 36,717En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 75 V 30 A 15.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 72 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V -18.6A DPAK-2 52,448En existencias
Min.: 1
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 18.6 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 33 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology 170En existencias
200En pedido
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Mult.: 1
: 2,000

OptiMOS Reel, Cut Tape