STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.92 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 HV
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Si SMD/SMT PowerFLAT-5x5-12 N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 1.05 Ohms - 25 V, 25 V 2 V 8.8 nC - 55 C + 150 C 67 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII
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Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 7.8 A 22.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 13 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFE
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Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 32 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 27 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 16 A STripFET F7 Power MOSFET
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Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 100 V 16 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 600 V 4.8 A 860 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450V 3.2 ohm 1.8 A SuperMESH3
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Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 450 V 600 mA 4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 56 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 0.008 Ohm typ., 100 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 pack
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 100 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 6 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8 A 800 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 670 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh II Plus Tube
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 10 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 49 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 30 nC - 65 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Tube
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 10 A 380 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3.75 V 66 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement SuperMESH Tube
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 27 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube
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