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293 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 16

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Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPD60N10S412ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.15
4,701En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60N10S412ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60N10S412ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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Hoja de datos

4,701En existencias

Cinta cortada

$2.15

$1.38

$0.929

$0.739

$0.682

Envase tipo carrete

$0.624

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

60 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC018N04LS G
Infineon Technologies
1: $1.87
9,890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC018N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC018N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

9,890En existencias

Cinta cortada

$1.87

$0.884

$0.661

$0.56

$0.548

Envase tipo carrete

$0.548

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: $7.20
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R075CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R075CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2,000En existencias

Cinta cortada

$7.20

$4.78

$3.87

$3.44

$3.05

Envase tipo carrete

$3.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPT067N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $8.17
5,381En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT067N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT067N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

Hoja de datos

5,381En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

$8.17

$5.74

$4.41

$4.33

$4.17

Envase tipo carrete

$4.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

200 V

137 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPD023N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.83
17,029En existencias
3,994En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD023N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD023N04NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

17,029En existencias

3,994En pedido

Cinta cortada

$1.83

$1.17

$0.777

$0.613

$0.561

Envase tipo carrete

$0.506

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

143 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPF129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.88
610En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF129N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

610En existencias

Cinta cortada

$5.88

$3.94

$2.84

$2.80

Envase tipo carrete

$2.61

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPT129N20NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.66
1,987En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT129N20NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT129N20NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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1,987En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

$7.66

$5.19

$3.92

$3.81

$3.73

Envase tipo carrete

$3.56

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

200 V

87 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.7 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA250N08S5N018AUMA1
Infineon Technologies
1: $4.60
1,099En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUA250N08S5N018AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA250N08S5N018

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

1,099En existencias

Cinta cortada

$4.60

$3.04

$2.16

$1.93

$1.90

Envase tipo carrete

$1.80

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

250 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

238 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R022S7XTMA1
Infineon Technologies
1: $10.41
67En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R022S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R022S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

67En existencias

Cinta cortada

$10.41

$7.49

$6.88

Envase tipo carrete

$6.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

416 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

IPG20N10S436AATMA1
Infineon Technologies
1: $2.17
1,671En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N10S436AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S436AATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+

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Hoja de datos

1,671En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

$2.17

$1.38

$0.924

$0.746

Ver

Envase tipo carrete

$0.594

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

100 V

20 A

31 mOhms, 31 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R035CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: $9.82

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R035CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R035CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Más información disponible

Cinta cortada

$9.82

$6.65

$6.05

Envase tipo carrete

$6.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

67 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

109 nC

- 55 C

+ 150 C

351 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 N-CH 55V 5.5A

BUK98150-55A/CUF
Nexperia
1: $0.57

N.º de artículo del Fabricante
BUK98150-55A/CUF

N.º de artículo de Mouser
771-BUK98150-55A/CUF

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT223 N-CH 55V 5.5A

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Cinta cortada

$0.57

$0.375

$0.296

$0.243

Ver

Envase tipo carrete

$0.114

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

55 V

5.5 A

137 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

5.3 nC

- 55 C

+ 150 C

8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT883 P-CH 30V .41A

PMZ1200UPEYL
Nexperia
1: $0.36

N.º de artículo del Fabricante
PMZ1200UPEYL

N.º de artículo de Mouser
771-PMZ1200UPEYL

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT883 P-CH 30V .41A

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Más información disponible

Cinta cortada

$0.36

$0.202

$0.136

$0.095

Ver

Envase tipo carrete

$0.049

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

DFN-1010-6

P-Channel

1 Channel

30 V

590 mA

670 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV

700 pC

- 55 C

+ 150 C

4.03 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT883 N-CH 20V .6A

PMZ600UNELYL
Nexperia
1: $0.35

N.º de artículo del Fabricante
PMZ600UNELYL

N.º de artículo de Mouser
771-PMZ600UNELYL

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT883 N-CH 20V .6A

Hoja de datos

Más información disponible

Cinta cortada

$0.35

$0.242

$0.154

$0.097

Ver

Envase tipo carrete

$0.049

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

DFN-1006-3

N-Channel

1 Channel

20 V

600 mA

620 mOhms

- 8 V, 8 V

450 mV

700 pC

- 55 C

+ 150 C

715 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q32-100L/SOT8002/MLPAK33

BUK9Q32-100LJ
Nexperia
1: $1.07
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Q32-100LJ

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Q32-100LJ

Nuevo producto

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q32-100L/SOT8002/MLPAK33

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Hoja de datos

Más información disponible

Cinta cortada

$1.07

$0.659

$0.432

$0.337

$0.295

Envase tipo carrete

$0.245

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC018N04LSGXT
Infineon Technologies
5,000: $0.548
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSC018N04LSGXT

N.º de artículo de Mouser
726-BSC018N04LSGXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

$0.548

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel

293 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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