|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
- SD2931-11W
- STMicroelectronics
-
1:
$115.84
-
255En existencias
-
50En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-11W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
|
|
255En existencias
50En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
Microchip Technology VRF2933MP
- VRF2933MP
- Microchip Technology
-
1:
$275.95
-
17En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-VRF2933MP
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
|
|
17En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
- SD2932W
- STMicroelectronics
-
1:
$202.66
-
104En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
SD2932W
N.º de artículo de Mouser
511-SD2932W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
|
|
104En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
M244
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
- SD2931-10W
- STMicroelectronics
-
1:
$91.81
-
503En existencias
-
300En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-10W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
|
|
503En existencias
300En pedido
|
|
|
$91.81
|
|
|
$72.93
|
|
|
$68.77
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
M174
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
- VRF2933
- Microchip Technology
-
1:
$164.95
-
35En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
VRF2933
N.º de artículo de Mouser
494-VRF2933
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
|
|
35En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
- SD2933W
- STMicroelectronics
-
1:
$139.67
-
|
N.º de artículo del Fabricante
SD2933W
N.º de artículo de Mouser
511-SD2933W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
|
|
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP -30V Vceo -1A Ic MPT3
- 2SAR293P5T100
- ROHM Semiconductor
-
1:
$0.53
-
1,332En existencias
-
1,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
755-2SAR293P5T100
|
ROHM Semiconductor
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP -30V Vceo -1A Ic MPT3
|
|
1,332En existencias
1,000En pedido
|
|
|
$0.53
|
|
|
$0.326
|
|
|
$0.208
|
|
|
$0.161
|
|
|
$0.144
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.118
|
|
|
$0.105
|
|
|
$0.10
|
|
|
$0.09
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
PNP
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 30V Vceo 1A Ic MPT3
- 2SCR293P5T100
- ROHM Semiconductor
-
1:
$0.53
-
2,962En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-2SCR293P5T100
|
ROHM Semiconductor
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 30V Vceo 1A Ic MPT3
|
|
2,962En existencias
|
|
|
$0.53
|
|
|
$0.326
|
|
|
$0.208
|
|
|
$0.156
|
|
|
$0.139
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.118
|
|
|
$0.105
|
|
|
$0.10
|
|
|
$0.09
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
- SD2932BW
- STMicroelectronics
-
1:
$213.78
-
36En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD2932BW
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
|
|
36En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT-89 BIPOLAR BJT PNP
- 2SAR293PHZGT100
- ROHM Semiconductor
-
1:
$0.83
-
2,648En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-2SAR293PHZGT100
|
ROHM Semiconductor
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT-89 BIPOLAR BJT PNP
|
|
2,648En existencias
|
|
|
$0.83
|
|
|
$0.517
|
|
|
$0.335
|
|
|
$0.256
|
|
|
$0.23
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
PNP
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
- IPD60N10S412ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.15
-
4,701En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60N10S412ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
|
|
4,701En existencias
|
|
|
$2.15
|
|
|
$1.38
|
|
|
$0.929
|
|
|
$0.739
|
|
|
$0.682
|
|
|
$0.624
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
- BSC018N04LS G
- Infineon Technologies
-
1:
$1.87
-
9,890En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC018N04LSG
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
|
|
9,890En existencias
|
|
|
$1.87
|
|
|
$0.884
|
|
|
$0.661
|
|
|
$0.56
|
|
|
$0.548
|
|
|
$0.548
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPT60R075CFD7XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.20
-
2,000En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R075CFD7XTM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
2,000En existencias
|
|
|
$7.20
|
|
|
$4.78
|
|
|
$3.87
|
|
|
$3.44
|
|
|
$3.05
|
|
|
$3.05
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
- IKD04N60RFATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.70
-
2,197En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IKD04N60RFATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
|
|
2,197En existencias
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.691
|
|
|
$0.532
|
|
|
$0.437
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.48
|
|
|
$0.411
|
|
|
$0.397
|
|
|
$0.386
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252-3
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
- IPT067N20NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.17
-
5,381En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT067N20NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
|
|
5,381En existencias
|
|
|
$8.17
|
|
|
$5.74
|
|
|
$4.41
|
|
|
$4.33
|
|
|
$4.17
|
|
|
$4.04
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FETs GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
- GANB1R2-040QBAZ
- Nexperia
-
1:
$8.13
-
2,132En existencias
-
2,500En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
771-GANB1R2-040QBAZ
Nuevo producto
|
Nexperia
|
GaN FETs GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
|
|
2,132En existencias
2,500En pedido
|
|
|
$8.13
|
|
|
$5.53
|
|
|
$4.29
|
|
|
$3.50
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
VQFN-16
|
P-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- IPD023N04NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.83
-
17,029En existencias
-
3,994En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD023N04NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
17,029En existencias
3,994En pedido
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.17
|
|
|
$0.777
|
|
|
$0.613
|
|
|
$0.561
|
|
|
$0.506
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
- IPF129N20NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.88
-
610En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPF129N20NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
|
|
610En existencias
|
|
|
$5.88
|
|
|
$3.94
|
|
|
$2.84
|
|
|
$2.80
|
|
|
$2.61
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZA120R020M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$19.52
-
2,813En existencias
-
357En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R020M1HXK
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
2,813En existencias
357En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF978P/SOT539/TRAY
- BLF978PU
- Ampleon
-
1:
$268.42
-
86En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF978PU
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF978P/SOT539/TRAY
|
|
86En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFETs
|
LDMOS
|
Screw Mount
|
SOT539A-5
|
Dual N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
- IPT129N20NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.66
-
1,987En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT129N20NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
|
|
1,987En existencias
|
|
|
$7.66
|
|
|
$5.19
|
|
|
$3.92
|
|
|
$3.81
|
|
|
$3.73
|
|
|
$3.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
- IAUA250N08S5N018AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.60
-
1,099En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUA250N08S5N018
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
|
|
1,099En existencias
|
|
|
$4.60
|
|
|
$3.04
|
|
|
$2.16
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.90
|
|
|
$1.80
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2934L-400/SOT502/TRAY
- BLS9G2934L-400U
- Ampleon
-
60:
$170.72
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2934L-400U
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2934L-400/SOT502/TRAY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 60
Mult.: 60
|
|
RF MOSFETs
|
LDMOS
|
SMD/SMT
|
SOT502A-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) TRANS-SS NPN SOT89 30V
- 2SCR293PHZGT100
- ROHM Semiconductor
-
1:
$0.90
-
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
755-2SCR293PHZGT100
|
ROHM Semiconductor
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) TRANS-SS NPN SOT89 30V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
|
|
$0.90
|
|
|
$0.609
|
|
|
$0.401
|
|
|
$0.309
|
|
|
$0.259
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.226
|
|
|
$0.211
|
|
|
$0.203
|
|
|
$0.196
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
- SD2931-12W
- STMicroelectronics
-
50:
$68.18
-
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-12W
|
STMicroelectronics
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
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Min.: 50
Mult.: 50
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RF MOSFET Transistors
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Si
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