IXFA4N100 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V 2.8 Rds
Hoja de datos
414En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 4 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HyperFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V
Hoja de datos
788En existencias
400En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 4 A 3.3 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 26 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube