Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
IPD068N10N3GATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55008-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
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RF MOSFET Transistors
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PowerSO-10RF-Formed-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II
STD18NF25
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
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FDA59N25
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SOIC-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDS86141
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
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MOSFETs
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SOIC-8
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power
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FMMT593TC
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
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SOT-23-3
PNP
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIPOLAR COMP.
BC847BVN-7
Diodes Incorporated
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIPOLAR COMP.
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-563-6
NPN, PNP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
DMG1016V-7
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621-DMG1016V-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-563-6
N-Channel, P-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC110N06NS3 G
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
IKW40N65ET7XKSA1
Infineon Technologies
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726-IKW40N65ET7XKSA1
Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
7,871 En existencias
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
IXFA10N80P
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IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
IXFK240N25X3
IXYS
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747-IXFK240N25X3
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
855 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
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IXFX64N60P
IXYS
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747-IXFX64N60P
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
1,148 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
IXTA86N20X4
IXYS
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N.º de artículo de Mouser
747-IXTA86N20X4
IXYS
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
IXTN400N15X4
IXYS
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747-IXTN400N15X4
IXYS
Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
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MOSFET Modules
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
IGBTs XPT 600V IGBT 300A
IXXX300N60B3
IXYS
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747-IXXX300N60B3
IXYS
IGBTs XPT 600V IGBT 300A
686 En existencias
300 En pedido
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-PLUS-3
IGBTs TO247 1200V 85A XPT
IXYH85N120A4
IXYS
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747-IXYH85N120A4
IXYS
IGBTs TO247 1200V 85A XPT
1,397 En existencias
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
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IXYX110N120B4
IXYS
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150 Se espera el 21/05/2026
N.º de artículo de Mouser
747-IXYX110N120B4
IXYS
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
1,266 En existencias
150 Se espera el 21/05/2026
1
$24.09
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
SCT3022ALGC11
ROHM Semiconductor
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755-SCT3022ALGC11
ROHM Semiconductor
MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
389 En existencias
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
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45,212 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
45,212 En existencias
1
$4.15
10
$2.74
100
$1.93
500
$1.75
1,000
$1.63
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Carrete :
1,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-220SM-3
P-Channel
GaN FETs DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
T2G6001528-Q3
Qorvo
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N.º de artículo de Mouser
772-T2G6001528-Q3
Qorvo
GaN FETs DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
129 En existencias
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Mult.: 1
Detalles
GaN FETs
GaN
NI-200
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A
+2 imágenes
SI1467DH-T1-BE3
Vishay
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$1.04
59,562 En existencias
N.º de artículo de Mouser
78-SI1467DH-T1-BE3
Vishay
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 P-CH 20V 3A
59,562 En existencias
Embalaje alternativo
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Ver
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$0.298
6,000
$0.247
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Carrete :
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
P-Channel