2030 Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
CML Micro MMA-012030
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
P-Channel GaAs 500 mA 12.5 V 100 MHz to 20 GHz 12.5 dB - 40 C + 85 C SMD/SMT Die Gel Pack
CML Micro MMA-012030-M4
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 100
: 100
P-Channel GaAs 500 mA 12.5 V 100 MHz to 20 GHz 12.5 dB - 40 C + 85 C SMD/SMT Die Reel