293 Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor Tecnología Id - Corriente de drenaje continua Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Frecuencia de trabajo Ganancia Potencia de salida Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Estilo de montaje Paquete / Cubierta Empaquetado
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz 155En existencias
50En pedido
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N-Channel Si 20 A 125 V 175 MHz 14 dB 150 W + 200 C Screw Mount Bulk
Microchip Technology VRF2933MP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177 17En existencias
Min.: 1
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N-Channel Si 42 A 180 V 150 MHz 25 dB 300 W - 65 C + 150 C Screw Mount


STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz 108En existencias
Min.: 1
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N-Channel Si 40 A 125 V 250 MHz 16 dB 300 W + 150 C SMD/SMT M244 Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz 605En existencias
300En pedido
Min.: 1
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N-Channel Si 20 A 125 V 230 MHz 15 dB 150 W + 150 C SMD/SMT M174 Bulk
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177 35En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 42 A 180 V 30 MHz 25 dB 300 W - 65 C + 150 C Screw Mount


STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz 36En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 40 A 125 V 250 MHz 15 dB 300 W + 200 C Screw Mount Tube


STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
Min.: 1
Mult.: 1

Si Bulk
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF978P/SOT539/TRAY 101En existencias
Min.: 1
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Dual N-Channel LDMOS 50 V 54 mOhms 700 MHz 24.5 dB 1.2 kW + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2934LS-400/SOT502/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 60 mOhms 2.9 GHz to 3.4 GHz 11 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2934L-400/SOT502/TRAY
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 60 mOhms 2.9 GHz to 3.4 GHz 11 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502A-3 Tray
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
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Si Bulk
STMicroelectronics SD2933-03W
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Si Bulk
STMicroelectronics SD2931-14
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) .500 DIA 4-L W/FLG Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
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Si Bulk
STMicroelectronics SD2931-15W
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) PTD NEW MAT & PWR SOLUTION Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
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Si Bulk
STMicroelectronics SD2931-12MR
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W-50V MoistResist HF/VHF DMOS TRANSIS Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Si Bulk