Transistores de RF

Transistores de RF
RF Transistors are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many RF transistor manufacturers including Infineon, MACOM, NXP, Qorvo, STMicroelectronics & more. Please view our large selection of RF transistors below.
Resultados: 926
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tipo de transistor
Tecnología
Frecuencia de trabajo
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Ganancia
Calificación
Empaquetado
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-600AVT/SOT125/TRAYD
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.93 GHz to 1.995 GHz 600 W - 40 C + 125 C 15 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-601AVT/SOT1258/REEL
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.93 GHz to 1.995 GHz 600 W - 40 C + 125 C 15 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G19XS-601AVT/SOT1258/TRAYD
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 1.93 GHz to 1.995 GHz 600 W - 40 C + 125 C 15 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/REEL
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 2.1 GHz to 2.17 GHz 300 W - 40 C + 150 C 15 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/REEL
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 2.1 GHz to 2.17 GHz 300 W - 40 C + 150 C 15 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/TRAY
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 2.1 GHz to 2.17 GHz 300 W - 40 C + 150 C 15 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 2.11 GHz to 2.2 GHz 400 W - 40 C + 125 C 16.3 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-401AVT/SOT1275/REEL
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 2.11 GHz to 2.2 GHz 400 W - 40 C + 125 C 15 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/REEL
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 2.1 GHz to 2.2 GHz 550 W - 40 C + 125 C 16 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/TRAY
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 2.1 GHz to 2.2 GHz 550 W - 40 C + 125 C 16 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-570AVT/SOT1258/TRAY
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 2.11 GHz to 2.18 GHz 570 W - 40 C + 125 C 15.7 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-600AVT/SOT1258/REELDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 2.11 GHz to 2.17 GHz 600 W - 40 C + 125 C 15 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 2.11 GHz to 2.17 GHz 600 W - 40 C + 125 C 15 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-602AVT/SOT1258/REEL
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 2.11 GHz to 2.17 GHz 600 W - 40 C + 125 C 15.4 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-602AVT/SOT1258/TRAY
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 2.11 GHz to 2.17 GHz 600 W - 40 C + 125 C 15.4 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-603AVT/SOT1258/REEL
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 2.11 GHz to 2.17 GHz 600 W - 40 C + 125 C 15.4 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-603AVT/SOT1258/TRAYD
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 2.11 GHz to 2.17 GHz 600 W - 40 C + 125 C 15.4 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27LS-320AVT/SOT1258/REELD
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-1-7 LDMOS 2.5 GHz to 2.7 GHz 320 W + 225 C 15.4 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27LS-320AVT/SOT1258/TRAYD
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-1-7 LDMOS 2.5 GHz to 2.7 GHz 320 W + 225 C 15.4 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/TRAYDP
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 2.496 GHz to 2.69 GHz 400 W - 40 C + 125 C 13.3 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27XS-551AVT/SOT1258/TRAY
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1258-4-7 LDMOS 2.62 GHz to 2.69 GHz 550 W - 40 C + 125 C 13 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS250/SOT1270/TRAYDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1270-1-3 LDMOS 2.4 GHz to 2.5 GHz 250 W + 225 C 14.4 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS500P/SOT1250/REELD
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1250-1-5 LDMOS 2.4 GHz to 2.5 GHz 500 W + 225 C 14.5 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS trans
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.805 GHz to 2.025 GHz 160 W + 225 C 15 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power LDMOS trans
Hoja de datos
No en existencias

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOT1275-1-7 LDMOS 1.805 GHz to 2.025 GHz 160 W + 225 C 15 dB Tray