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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPU60R1K5CEAKMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$0.88
-
2,928En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPU60R1K5CEAKMA2
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
2,928En existencias
|
|
|
$0.88
|
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$0.373
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$0.331
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$0.27
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Ver
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$0.258
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$0.233
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$0.199
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
- IPW60R045CP
- Infineon Technologies
-
1:
$15.99
-
222En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
|
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222En existencias
|
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|
$15.99
|
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$12.37
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$10.70
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$10.69
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
- IPW60R045CPFKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$15.23
-
1,443En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045CPFKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
|
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1,443En existencias
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6
- IPW60R070C6
- Infineon Technologies
-
1:
$9.03
-
960En existencias
-
720En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070C6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6
|
|
960En existencias
720En pedido
|
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|
$9.03
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$6.57
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6
- IPW65R037C6
- Infineon Technologies
-
1:
$14.56
-
289En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R037C6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6
|
|
289En existencias
|
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|
$14.56
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$11.26
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$9.74
|
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|
$9.73
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|
Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPW80R280P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.80
-
229En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW80R280P7XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
229En existencias
|
|
|
$3.80
|
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$2.09
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$1.71
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$1.51
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
- SPA06N80C3XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.32
-
487En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPA06N80C3XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
|
487En existencias
|
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|
$2.32
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|
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$1.24
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$0.895
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$0.861
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP CoolMOS CFD
- SPA20N60CFD
- Infineon Technologies
-
1:
$6.23
-
304En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPA20N60CFD
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP CoolMOS CFD
|
|
304En existencias
|
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|
$6.23
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$4.37
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$2.14
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
- SPB11N60C3
- Infineon Technologies
-
1:
$4.60
-
395En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPB11N60C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3
|
|
395En existencias
|
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$4.60
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|
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$2.92
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$2.14
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$1.76
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$1.65
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3
- SPP11N60CFDXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.44
-
380En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N60CFDXKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3
|
|
380En existencias
|
|
|
$3.44
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|
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$2.24
|
|
|
$1.74
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|
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$1.47
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|
$1.33
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|
Min.: 1
Mult.: 1
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220-3
- SPP20N60CFDXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.20
-
225En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPP20N60CFDXKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220-3
|
|
225En existencias
|
|
|
$4.20
|
|
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$3.04
|
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|
$2.61
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|
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$2.05
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|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS CFD
- SPW20N60CFD
- Infineon Technologies
-
1:
$4.99
-
269En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW20N60CFD
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS CFD
|
|
269En existencias
|
|
|
$4.99
|
|
|
$4.31
|
|
|
$2.97
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|
|
$2.59
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|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20A TO247-3 CoolMOS S5
- SPW20N60S5
- Infineon Technologies
-
1:
$5.64
-
1,366En existencias
-
480En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW20N60S5
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20A TO247-3 CoolMOS S5
|
|
1,366En existencias
480En pedido
|
|
|
$5.64
|
|
|
$3.19
|
|
|
$2.66
|
|
|
$2.65
|
|
|
$2.57
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 46A TO247-3 CoolMOS CFD
- SPW47N60CFD
- Infineon Technologies
-
1:
$13.25
-
398En existencias
-
473En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW47N60CFD
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 46A TO247-3 CoolMOS CFD
|
|
398En existencias
473En pedido
|
|
|
$13.25
|
|
|
$9.90
|
|
|
$7.95
|
|
|
$7.57
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP
- IPA50R140CP
- Infineon Technologies
-
1:
$4.59
-
87En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R140CP
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP
|
|
87En existencias
|
|
|
$4.59
|
|
|
$2.76
|
|
|
$2.38
|
|
|
$1.87
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA50R800CE
- Infineon Technologies
-
1:
$1.22
-
339En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CE
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
339En existencias
|
|
|
$1.22
|
|
|
$0.763
|
|
|
$0.503
|
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|
$0.398
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.353
|
|
|
$0.323
|
|
|
$0.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA50R800CEXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$1.18
-
1,585En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CEXKSA2
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
1,585En existencias
|
|
|
$1.18
|
|
|
$0.548
|
|
|
$0.486
|
|
|
$0.398
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.353
|
|
|
$0.313
|
|
|
$0.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
- IPA60R160P6
- Infineon Technologies
-
1:
$3.55
-
30En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
|
|
30En existencias
|
|
|
$3.55
|
|
|
$2.31
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.47
|
|
|
$1.29
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
- IPA60R160P6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.37
-
328En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
|
|
328En existencias
|
|
|
$3.37
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.54
|
|
|
$1.28
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPA60R160P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.14
-
366En existencias
-
109En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
366En existencias
109En pedido
|
|
|
$3.14
|
|
|
$2.03
|
|
|
$1.45
|
|
|
$1.21
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.12
|
|
|
$1.06
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPA60R180C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.57
-
230En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
230En existencias
|
|
|
$3.57
|
|
|
$2.31
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.42
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.24
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPA60R600P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.87
-
680En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
680En existencias
|
|
|
$1.87
|
|
|
$0.997
|
|
|
$0.792
|
|
|
$0.648
|
|
|
$0.516
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPA80R750P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.97
-
1,500En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R750P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
1,500En existencias
|
|
|
$1.97
|
|
|
$0.95
|
|
|
$0.851
|
|
|
$0.675
|
|
|
$0.614
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPAN60R180P7SXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.58
-
783En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R180P7SXKS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
783En existencias
|
|
|
$2.58
|
|
|
$1.65
|
|
|
$1.14
|
|
|
$0.97
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.859
|
|
|
$0.813
|
|
|
$0.772
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R099P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.84
-
245En existencias
-
1,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
245En existencias
1,000En pedido
|
|
|
$4.84
|
|
|
$3.19
|
|
|
$2.25
|
|
|
$1.91
|
|
|
$1.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|