d01 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Lateral N-Ch MOSFET Depletion-Mode 3,615En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-5 N-Channel 1 Channel 9 V 330 mA 1.4 Ohms - 12 V, 600 mV 3 V - 25 C + 125 C 360 mW Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 61 A 10.4 mOhms 20 V 3 V 26 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 61 A 10.4 mOhms 20 V 3 V 26 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 323 A 1.57 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 323 A 1.57 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 323 A 1.57 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 323 A 1.57 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs PTNG 100V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 2 Channel 100 V 62 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 26.4 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V LL DUAL N-CH MOSFET 2,802En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si WDFN-12 PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 968En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 1,498En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SO-8FL-Dual-8 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF 149En existencias
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT U-DFN2030-6 N-Channel 2 Channel 20 V 9 A 13 mOhms - 12 V, 12 V 710 mV 16 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 40V 30A 25mohm TO-252 / DPAK 2,937En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252-4 N-Channel 1 Channel 40 V 30 A 30 mOhms - 2.5 V, 16 V + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 20A 38mohm TO-252 / DPAK 1,347En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TO-252-4 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 38 mOhms - 2.5 V, 16 V + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE 18,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 2 Channel 60 V 35 A 20.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 Reel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 2 Channel 60 V 42 A 16.8 mOhms - 20 V, 20 V 11.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi NVMJD012N04CLTWG
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT LFPAK-56 N-Channel 2 Channel 40 V Reel
onsemi NVMJD015N04CLTWG
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS PACKAGE Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT LFPAK-56 N-Channel 2 Channel 40 V Reel
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs
Reel
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs DUAL N-CHANNEL MOSFET,PDFN5060-8D
Reel
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs
Reel
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs DUAL N/P-CHANNEL MOSFET,DFN3333-D
Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs DUAL N/P-CHANNEL MOSFET,DFN3333-D
Reel
Micro Commercial Components (MCC) MCACD012N06YLHE3-TP
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs